参数

指标

型号

C14120-20P

像素

4608×2592

像元

5.5×5.5μm

传感器面积

25.344×14.256mm

峰值QE

>60%@550nm

暗电流

15e/pixel/s（风冷20℃）

制冷温度

风冷20℃，水冷静音20℃

数据接口

高速CoaXPress-6x4 线（配采集卡）

Binning

2×2,4×4

尺寸

110×110×235mm

开机时环境温度

0℃ -40℃

开机时环境湿度

30% -80%

满阱模式

标准满阱模式（高速低噪）

高满阱模式（避免过曝）

满阱容量

1000电子

38000电子

读出噪声

1.5电子中值/ 2.0电子均方根

2.2电子中值/ 2.7电子均方根

动态范围

650：1

17000：1

位深

12 bit

16 bit

曝光时间

6.304μs – 1s

50.432μs – 1s

PRNU（光响应不一致性）

-

不大于3% （在20 000 电子信号处）

DSNU（暗信号不一致性）

0.5 电子均方根

线性度

EMVA 1288标准： 不大于1%

信号强度小于500时： 不大于1%

外触发模式（输入）

沿触发、各行同时开始曝光沿触发（Global  reset edge ）、电平触发、各行同时开始曝光电平触发（Global reset  level）、Synchronous readout trigger（两或多触发沿之间的时间间隔为曝光时间）、start trigger （接收到触发沿之后开始在内触发模式下连续拍照）

外触发接口

SMA

外触发电平要求

时长0s 到10s之间，最小单位1μs，电平3.3V LVCMOS level

读出模式

标准读出模式/光片读出模式

读出时间

(4608x 2592)

8.2ms – 129.6ms

(4行的可设置范围12.608μs – 200μs)

32.7ms – 129.6ms

(4行的可设置范围50.432μs – 200μs)

最小读出间隔

(4608 x 2592)

8.3ms

32.7ms

读出模式

全幅/子阵列单独成像

读出方向

向前读出（单向）

亮点矫正

可开关（默认开启）